矽片自然氧化速率
1. 矽片是泡在去離子水中更容易氧化還是在空氣中更容易被氧化
泡在純水中更好，普通去離子水太臟了，電阻至少要2兆歐以上吧
2. 為什麼在日光下以不同角度觀察氧化後的矽片會有不同的顏色
因為分子排列是非常有規律的，這樣不同角度暴露在表面上的元素，就會非常有規律，使得版同一角權度的表面暴露的元素相同，而不同角度暴露的元素就可能不同，致使同一角度元素產生的光譜相同，不同角度產生的光譜可能不同，所以不同角度觀察會有不同的顏色。
在米粒大的矽片上，已能集成16萬個晶體管。這是何等精細的工程！這是多學科協同努力的結晶，是科學技術進步的又一個里程碑。
地殼中含量達25.8%的硅元素，為單晶硅的生產提供了取之不盡的源泉。由於硅元素是地殼中儲量最豐富的元素之一，對太陽能電池這樣註定要進入大規模市場（mass market）的產品而言，儲量的優勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一。
3. 半導體矽片工藝中有一個是 RCA cleaning 是什麼意思
RCA cleaning 就是採用方法來清洗的意思。
RCA是一種典型的、普遍使用的濕式化學清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液：
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液中，並能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除矽片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除矽片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，矽片表面的硅幾乎不被腐蝕。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由於H2O2的作用，矽片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，矽片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由於矽片表面的自然氧化層與矽片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在矽片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕矽片表面的同時，H2O 2又在氧化矽片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用於去除矽片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除矽片表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分矽片表面，從而使氧化膜和與之相關的沾污難以去除；然後溶解氧化膜，因為氧化層是「沾污陷阱」，也會引入外延缺陷；最後再去除顆粒、金屬等沾污，同時使矽片表面鈍化。
4. 矽片在什麼情況下會氧化
個人感覺，矽片放在空氣中，自然條件下即會緩慢地形成氧化層。時間長了，原本導電性還過得去的矽片就會慢慢地變得絕緣起來...
而且矽片表面的氧化層還不太好除去，最好還是放在液體中封存~
5. 干氧氧化和濕氧氧化的特點
硅熱氧化工藝按所用的氧化氣氛可分為：干氧氧化、水汽氧化和濕氧氧化。干氧氧化內是以乾燥純凈的氧容氣作為氧化氣氛，在高溫下氧直接與硅反應生成二氧化硅。水汽氧化是以高純水蒸汽為氧化氣氛，由矽片表面的硅原子和水分子反應生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化大。而濕氧氧化實質上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介於二者之間。在集成電路工藝中，以加熱高純水作為水蒸汽源，而濕氧氧化則用乾燥氧氣通過加熱的水（常用水溫為95）所形成的氧和水汽混合物形成氧化氣氛。用高純氫氣和氧氣在石英反應管進口處直接合成水蒸汽的方法進行水汽氧化時，通過改變氫氣和氧氣的比例，可以調節水蒸汽壓，減少沾污，有助於提高熱生長二氧化硅的質量。
6. 為什麼矽片熱氧化需要很高的溫度
簡述矽片熱處理意義 ①熱處理溫度要求：650±5℃； ②熱處理目的：還原內直拉單晶矽片真實電阻率；容 1、熱處理後電阻率會有什麼變化 由於氧是在大約1400℃引入硅單晶的，所以在一般器件製造過程的溫度范圍（≤1200℃）
7. 溶解矽片用氫氧化鈉和氫氟酸哪個快
氫氧化鈉溶解速度慢，而且需要加熱，因為硅酸鈉是高粘性的，氫氧化鈉擴散慢。而氫氟酸與硅生成氟硅酸，粘性與水差不多，不影響氫氟酸的擴散。
8. 請問：矽片退火處理是怎麼回事為什麼要進行退火退火對電阻率和少子壽命有影響嗎
矽片退火處理，是工藝的一個環節。是按一定的程序對矽片進行升溫、降溫.的過專程；
為什麼要進行退火？屬原因之一是，矽片中含有氧，氧有吸取雜質的作用。退火時可以將矽片表面附近的氧，從其表面揮發脫除，使表面附近的雜質數量減少。有利於器件的製造；
退火對電阻率和少子壽命有一定的影響：使其升高。
9. 為什麼實驗用矽片一般都在表面氧化
不一定有不帶二氧化硅的，而且價格便宜呢