什麼氣體會造成al薄膜沉積速率快

Ⅰ 在磁控濺射鍍膜過程中，薄膜沉積速率由哪些因素決定

沉積速率是指從靶材上濺射出來的材料，在單位時間內沉積到基片上的膜層厚度，該速率與濺射率成正比。有下列關系式：
qt=CIh
式中：
qt—表示沉積速率；
C—表徵濺射裝置特性的常數；
I—表示離子流；
h—表示濺射速率。
由此式可見，當濺射裝置一定（即C為確定值，這個是濺射設備的固定參數，在設計之初，一般由靶基距等關鍵參數決定），又選定了工作氣體後，提高沉積速率的最好辦法是提高離子流I。
磁控濺射法成膜速率正比於靶功率。決定沉積速率的因素有：刻蝕區的功率密度，刻蝕區面積，靶—基距，靶材，氣體壓強，氣體成分等。上面列出的幾個參數大致上是按重要性排列的，但其中有些參數之間有相互影響，如壓強、功率密度及刻蝕區面積等。此外靶的熱學性能與機械特性等也是限制最大濺射速率的因素。

Ⅱ 請問PECVD中用的氣體有哪些有毒的呢

PECVD--等離子體化學氣相沉積法
為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
實驗機理：
輝光放電等離子體中： 電子密度高 (109~1012/cm3)
電子氣溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍
雖環境溫度(100-300℃)，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解，離解和離化，從而大大 提高了參與反應物的活性。
因此，這些具有高反應活性的中性物質很容易被吸附到較低溫度的基本表面上，發生非平衡的化學反應沉積生成薄膜。
優點：基本溫度低；沉積速率快；
成膜質量好，針孔少，不易龜裂。
缺點：1.設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；
2.塗層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；
3.對小孔孔徑內表面難以塗層等。
例子：在PECVD工藝中由於等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最後的鈍化保護層，提高集成電路的可靠性。
幾種PECVD裝置
圖（a）是一種最簡單的電感耦合產生等離子體的PECVD裝置，可以在實驗室中使用。
圖b）它是一種平行板結構裝置。襯底放在具有溫控裝置的下面平板上，壓強通常保持在133Pa左右，射頻電壓加在上下平行板之間，於是在上下平板間就會出現電容耦合式的氣體放電，並產生等離子體。
圖（c）是一種擴散爐內放置若干平行板、由電容式放電產生等離子體的PECVD裝置。它的設計主要為了配合工廠生產的需要，增加爐產量。

Ⅲ 高中化學,HCI能破壞什麼無機物表面的薄膜（除了Al₂O₃）

金屬表面氧化物就是薄膜，HCL的水溶產物就是鹽酸，腐蝕性很強的，可以與很多種金屬氧化物發生化學反應，如氧化鋅或鹼式碳酸鋅，這兩種物質存在於鋅的表面，還有銅的氧化物等等

Ⅳ 磁控濺射鍍膜過程中，薄膜沉積速率為什麼會越來越慢

你好，成膜慢和電源的輸出功率大小有關，也和爐內真空度有關，我做維修磁控鍍膜機多年，基本就這些因數影響

Ⅳ 用磁控濺射法鍍鋁膜的沉積速率過低，可能的原因有哪些

電流低.磁鐵老化.離工件遠

Ⅵ 元素周期表什麼位置的金屬元素和氧氣反應生成薄膜，比如Al，也就是能生成薄膜的金屬有什麼特點

第一點是反應迅速，也就是金屬要夠活潑，比如說鎂也可以，一般實驗室所用的鎂條表面都有一層氧化膜保護內部，所以才沒有迅速的完全變質，雖然鎂比鋁更容易變質。
說到鎂，就要講到第二點，氧化物鹼性很弱。這一點很重要，所以鎂最終還是變質了，因為它的鹼性較強，也就是說，氧化鎂的氧離子比較活潑，容易與水、二氧化碳等反應而逐漸銹蝕到內部。另一個例子是鉛，鉛的表面也會生成藍色的氧化膜而保護內部，但是一遇到水和二氧化碳就不行了，哪怕是微量，然後生成鹼式碳酸鹽脫落下來使得內部繼續氧化。有一種金屬氧化保護膜叫做鋼藍，主要成分是四氧化三鐵，四氧化三鐵就滿足以上兩點要求。
但鐵卻是最常見生銹的，所以，在此引出來第三點，生成氧化膜自我保護的金屬不宜有多種氧化物。鐵銹的成分是很復雜的，一根沾滿了銹而內部是鐵的釘子，橫截之後可以發現內部還有氧化亞鐵，四氧化三鐵，再加上氧化鐵的水合過程，金屬鐵表面的氧化膜一直在改變結構，所以才如此疏鬆。

Ⅶ 在磁控濺射鍍膜過程中，薄膜沉積速率由哪些因素決定

沉積速率是指從靶材上濺射出來的材料，在單位時間內沉積到基片上的膜層厚專度，該速率與屬濺射率成正比。有下列關系式：
qt=CIh
式中：
qt—表示沉積速率；
C—表徵濺射裝置特性的常數；
I—表示離子流；
h—表示濺射速率。
由此式可見，當濺射裝置一定（即C為確定值，這個是濺射設備的固定參數，在設計之初，一般由靶基距等關鍵參數決定），又選定了工作氣體後，提高沉積速率的最好辦法是提高離子流I。
磁控濺射法成膜速率正比於靶功率。決定沉積速率的因素有：刻蝕區的功率密度，刻蝕區面積，靶—基距，靶材，氣體壓強，氣體成分等。上面列出的幾個參數大致上是按重要性排列的，但其中有些參數之間有相互影響，如壓強、功率密度及刻蝕區面積等。此外靶的熱學性能與機械特性等也是限制最大濺射速率的因素。

Ⅷ 金屬薄膜的沉積速率一般是多少

沉積速率跟好多因素有關，離子鍍的話，一般1微米/小時。（跟靶功率有關系內）

具體計算方法可以容參考：
沉積速率與諸多因素有關可定性的表示為q=CSI
q為沉積速率，C為常數，S為濺射產額，I為放電電流。凡是影響濺射產額的因素都對沉積速率有影響，濺射產額是個必要條件，諸多因素中，最主要的有幾個：
1、外加功率對沉積速率的影響：陰陽極的距離確定、放電處於反常輝光放電區（電壓升高電流加大）條件下，沉積速率與加在陰極上的功率成正比；
2、沉積速率與放電電流的關系：提高放電電流的最有效途徑是適當提高濺射氣體壓強；
3、基體與陰極靶之間的相對位置：在不影響陰極暗區的前提下，陰陽極間的距離越近，沉積速率越大。（但厚薄均勻性下降，--指靶及基體固定不變時）
4、氣體壓強對沉積速率的影響：沉積速率與氣體壓強不是線性關系，低氣體壓強時，正離子少，濺射產額低，沉積速率低；隨氣體壓強升高，正離子增多，濺射產額提高，沉積速率上升；在某一個氣體壓強時達到最大值；繼續提高氣體壓強，沉積速率開始下降。

Ⅸ 求救！！什麼是射頻磁控濺射ITO薄膜沉積速率的研究

沉積速率：沉積在物體表面的膜層形成過程的快慢
射頻濺射：極高頻率，達到射頻范圍，通過電場，將固定的材料分子從材料上濺射出來。（後期沉積到指定的基體）
ITO：自己查查網路
一般速率研究包括在不同的環境下：濺射時氣體壓強（真空度）、電流、電壓、頻率、功率等等，相同時間內形成的膜層厚度。

Ⅹ 磁控濺射沉積速度過快，表面會均勻嗎

沉積來速率：沉積物體表面膜源層形程快慢
射頻濺射：極高頻率達射頻范圍通電場固定材料材料濺射（期沉積指定基體）
ITO：自查查網路
般速率研究包括同環境：濺射氣體壓強（真空度）、電流、電壓、頻率、功率等等相同間內形膜層厚度