寬頻半導體

❶ 怎樣解釋寬頻隙和 窄帶隙單體。。寬。窄指什麼

帶隙：導帶的最低點和價帶的最高點的能量之差。也稱能隙。帶隙超版過3ev的被認為是寬權帶隙半導體，例如GaN、SiN和ZnO，小於3ev的就是窄帶隙。帶隙越大，電子由價帶被激發到導帶越難，本徵載流子濃度就越低，電導率也就越低。

❷ 寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室的簡介

寬頻隙半導體技術復國家重點學科制實驗室依託西安電子科技大學，是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上，2007年國家批准建設的國家級重點實驗室，2008年實驗室成為我國國防科技創新團隊，是中國寬頻隙半導體材料與器件研究的主要基地。

❸ 寬頻光源、窄帶光源、激光器之間的聯系與區別是什麼窄線寬激光器和窄線寬光源是一樣的嗎急急急在線等

1. 激光器的線寬范圍一般是多大？

答：普通F-P半導體激光器的線寬一般在1-2nm以內，DFB激光器，光纖激光器和氣體激光器線寬非常窄，可以做到MHz級別線寬。

2.激光器有寬頻的嗎，激光器最大的寬頻有多大？

答：有，激光器最大帶寬可以做到20nm左右，比如你下面說到的SLD（超輻射半導體激光器）

3.線寬50nm的寬頻光源是激光器嗎？

答：一般不是，50nm線寬有可能是LED光源，半導體激光器一般不可能有如此寬的帶寬。

4.SLD寬頻光源是激光器嗎?

答：是，見回答2

5.有窄線寬激光器，難道還有寬線寬激光器嗎？

答：線寬寬窄是相對的說法，2nm線寬相對於0.0000002nm線寬就是寬頻激光器

6.在寬頻光源後面加一個濾光片，只通過線寬1nm的光，這束光是激光嗎？還是和光源有關，有什麼關系呢?

答：不是，激光與普通光源的最大區別在於是不是受激輻射源，激光具有高度的同相性，也就是在同一時刻，所有光子都是同相位的，普通光源做不到，氙燈後面放濾光片，還是普通光源

7.是不是線寬窄了就是激光？

答：不是，激光具有窄線寬的特性，但不僅僅只有這一個特性，滿足激光的條件只有一個，就是受激輻射

*************

2019/12/6更正，索雷博公司將其與LED光源一起列為非相干光源，SLD被歸類為非相干光源，也就應該不是激光器

❹ 寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室的介紹

寬頻隙半導體技術抄國家重點學科實驗室依託西安電子科技大學，是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上，2007年國家批准建設的國家級重點實驗室，2008年實驗室成為我國國防科技創新團隊，是中國寬頻隙半導體材料與器件研究的主要基地。

❺ 什麼是寬頻隙半導體材料

寬頻隙半導體，一般把室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料歸類於寬頻隙半導體，寬回帶隙半導體在藍、紫答光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發射器件方面應用廣泛。
室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料歸類於寬頻隙半導體，寬頻隙半導體在藍、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發射器件方面應用廣泛。

❻ 寬頻隙半導體，晶體結構、能帶及器件的結構有哪些，光電特性是什麼

一般把室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料歸類於寬頻隙半導體。
建議你參考這篇文章「國外軍事和宇航應用寬頻隙半導體技術的發展」 ，網路文庫也有。

❼ 寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室的實驗室發展歷程

寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室是在寬禁帶半導體材料與器件教回育部重點實驗室的基礎答上，2007年國家批准建設的重點實驗室。實驗室重點開展寬頻隙（寬禁帶）半導體材料與器件的應用基礎研究。實驗室是西安電子科技大學國家集成電路人才培養基地、微電子學與固體電子學國家重點學科和211」工程 重點建設學科的重要支撐。

❽ 寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室的實驗室條件

學術委員會的主要職責：審議實驗室的研究方向、學術上的重大問題，推薦優秀學術成就、科研課題、研究成果。
學術委員會名單如下： 姓名 職稱 工作單位 郝躍 院士 西安電子科技大學 夏建白 院士 中國科學院半導體研究所 沈緒榜 院士 航天771所 張興 教授 北京大學 王燕 教授 清華大學 汪宏 教授 西安交通大學 崔鐵軍 教授 東南大學 蔡樹軍 研究員 中國電子科技集團第13所 陳效建 研究員 中國電子科技集團第55所 劉新宇 研究員 中國科學院微電子研究所 陳志明 教授 西安理工大學 陳長清 教授 華中科技大學 楊銀堂 教授 西安電子科技大學 庄奕琪 教授 西安電子科技大學 張玉明 教授 西安電子科技大學 該實驗室擁有從寬禁帶材料製造設備、材料製造工藝到微波功率器件、高亮度LED器件管芯製造工藝，微波功率模塊、微納米器件可靠性以及VLSI電路設計等若干項自主關鍵技術，具有明顯特色。
據該實驗室網站資料介紹，該實驗室擁有一套完整的寬禁帶材料生長和器件研製的工藝設備和環境，400平方米以上面積的超凈實驗室環境3套和完整的測試分析設備。1000級微電子超凈工藝實驗室超凈間，連同材料生長、器件製作和相關表徵設備，形成了一條完整的化合物半導體材料和器件工藝線。 微電子學與固體電子學國家重點學科
國家「211」工程重點建設學科
國家集成電路人才培養基地
陝西省大功率半導體照明工程研究中心
西安航天-西電新型半導體器件研發中心

❾ 哪一款晶元的發明標志著寬頻上網時代的開始

微晶元是一些長著小小的金屬針、標著看似隨機的字母或數字的字元串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些晶元就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產品賦能，從而得到榮耀，也有一些晶元對整個計算環境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗後成為警世的故事。

為了紀念這些偉大的晶元，並講述它們背後的人和故事，IEEE Spectrum 製作了這個「晶元名人堂」（Chip Hall of Fame）。登堂的是7類共27枚影響了整個計算世界的晶元。

這份名單中的第一類多數來自 IEEE Spectrum 2009年的一個專題「25 Microchips That Shook The World」，由 Brian Santo 撰寫，現在它增加了自那之後的出現的一些重要的晶元。當然，這份名單肯定存在爭議，比如讀者可能會質疑為什麼英特爾的8088微處理器入選，而不是4004（英特爾推出的第一款微處理器）或者8080（英特爾最著名的微處理器）？需要稍作說明的是，這份名單是作者、作者所信任的來源，以及 IEEE Spectrum 的多名編輯經過數周的爭論之後得出的。它並不只關注那些獲得巨大商業成功或取得了重大技術進步的晶元，它關注的是那些被證明十分獨特，令人著迷，令人驚嘆的微晶元。最重要的是，這份榜單搜集了深刻地影響了許多人的生活的晶元——它們是許多改變世界的電子設備的重要部分，象徵著技術的發展趨勢。

類別：

放大器 & 音頻（Amplifiers & Audio）

介面（Interfacing）

邏輯（Logic）

記憶 & 存儲（Memory & Storage）

MEM & 感測器（MEMs & Sensors）

處理器（Processors）

無線（Wireless）

1/ 仙童半導體μA741 運算放大器（1968）


Fairchild Semiconctor μA741 Op-Amp

該晶元成為了模擬放大器集成電路事實上的標准。該晶元目前仍在生產，在電子產品中隨處可見。

製造商：仙童半導體

類別：放大器 & 音頻

年代：1968

運算放大器就像模擬設計界的切片麵包。你可以用它們夾上任何東西，並且都能得到滿意的結果。設計者使用它們來製作音頻或視頻的前置放大器，電壓比較器，精密整流器，以及其他許多日常電子系統中重要的子系統。

1963年，26歲的工程師 Robert Widlar 在仙童半導體公司（Fairchild Semiconctor）設計了第一個單塊集成運算放大器電路，即 μA702。當時它的售價是300美元。Widlar 隨後對設計進行了改進，設計出 μA709，並獲得了巨大的商業成功。據說，Widlar 因此要求加薪，但沒有得到滿足，於是離開了仙童半導體。美國國家半導體公司（現在是德州儀器的一部分）如獲至寶，迅速挖來了 Widlar。Widlar 後來幫助國家半導體建立了模擬IC設計部門。

❿ 寬頻隙半導體的p型摻雜困難的原因可能有哪些

器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鑽探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。