光纖製作工藝

❶ 光纖的生產過程（分哪幾個步驟）

原料在高溫下發生氧化反應生成SiO2、B2O3、GeO2、P2O5微粉，沉積在石英反應管的內壁上。在沉積過程中需要精密地控制摻雜劑的流量，從而獲得所設計的折射率分布。採用MCVD法制備的B／Ge共摻雜光纖作為光纖的內包層，能夠抑制包層中的模式耦合，大大降低光纖的傳輸損耗。MCVD法是目前制備高質量石英光纖比較穩定可靠的方法，該法制備的單模光纖損耗可達到0.2-0.3dB／km，而且具有很好的重復性。 OVD法又為「管外汽相氧化法」或「粉塵法」，其原料在氫氧焰中水解生成SiO2微粉，然後經噴燈噴出，沉積在由石英、石墨或氧化鋁材料製成的「母棒」外表面，經過多次沉積，去掉母棒，再將中空的預制律在高溫下脫水，燒結成透明的實心玻璃棒，即為光纖預制棒。該法的優點是沉積速度快，適合批量生產，該法要求環境清潔，嚴格脫水，可以製得0.16dB／km（1.55μm）的單模光纖，幾乎接近石英光纖在1.55μm窗口的理論極限損耗0.15dB／km。 VAD法是由日本開發出來的，其工作原理與OVD相同，不同之處在於它不是在母棒的外表面沉積，而是在其端部（軸向）沉積。VAD的重要特點是可以連續生產，適合製造大型預制棒，從而可以拉制較長的連續光纖。而且，該法制備的多模光纖不會形成中心部位折射率凹陷或空眼，因此其光纖製品的帶寬比MCVD法高一些，其單模光纖損耗目前達到0.22-0.4dB／km。目前，日本仍然掌握著VAD的最先進的核心技術，所製得的光纖預制棒OH-含量非常低，在1385nm附近的損耗小於0.46dB／km。 PCVD法是由菲利普研究實驗室提出的，於1978年應用於批量生產。它與MCVD的工作原理基本相同，只是不用氫氧焰進行管外加熱，而是改用微波腔體產生的等離子體加熱。 PCVD工藝的沉積溫度低於MCVD工藝的沉積溫度，因此反應管不易變形；由於氣體電離不受反應管熱容量的限制，所以微波加熱腔體可以沿著反應管軸向作快速往復移動，目前的移動速度在8m／min，這允許在管內沉積數千個薄層，從而使每層的沉積厚度減小，因此折射率分布的控制更為精確，可以獲得更寬的帶寬。而且，PCVD的沉積效率高，沉積速度快，有利於消除SiO2層沉積過程中的微觀不均勻性，從而大大降低光纖中散射造成的本徵損耗，適合制備復雜折射率剖面的光纖，可以批量生產，有利於降低成本。目前，荷蘭的等離子光纖公司占據世界領先水平。 此外，在光纖製造過程中應採取措施從幾何尺寸和光學上嚴格控制非圓度，優化折射率差，並採用三包層結構，從而減少偏振模色散（PMD）。另外，Shigeki Sakaguchi等研究了光纖中的瑞利散射損耗與Tf的關系，實驗證實對光纖進行熱處理可以降低微觀不均勻性，減少瑞利散射損耗。 聚合物光纖的制備方法之一就是預制棒拉纖法，制備聚合物光纖預制棒的方法通常有：光共聚法、兩步共聚法和界面凝膠法，其中界面凝膠法制備預制棒的技術最為成熟。利用不同折射率的單體的擴散速度不同，反就時的不同單體的競聚率不同以及自動加速凝膠效應，使其折射率形成梯度，這樣製造出的漸變折射率型的光纖預制棒具有折射率分布可控，而且分布均勻的優點，是目前研究的熱點。

❷ 光纖跳線的製作工藝

有點復雜,不過簡單的說可能分為以下幾步,裁線,穿纖,壓接,組裝,研磨,光特性測試,包裝.

❸ 光纖光纜製造工藝方面有什麼要注意的地方

1969年Jone和Hao採用SiCl4氣相氧化法製成的光纖的損耗低至10dB／km，而且摻雜劑都是採用純的TiO2、GeO2、B2O3及P2O5，這是MCVD法的原型，後來發展成為現在的MCVD所採用的SiCl4、GeCl4等液態的原材料。原料在高溫下發生氧化反應生成SiO2、B2O3、GeO2、P2O5微粉，沉積在石英反應管的內壁上。在沉積過程中需要精密地控制摻雜劑的流量，從而獲得所設計的折射率分布。採用MCVD法制備的B／Ge共摻雜光纖作為光纖的內包層，能夠抑制包層中的模式耦合，大大降低光纖的傳輸損耗。MCVD法是目前制備高質量石英光纖比較穩定可靠的方法，該法制備的單模光纖損耗可達到0.2-0.3dB／km，而且具有很好的重復性。光纖光纜等相關的最好用達標的，我們一般用菲尼特的。

❹ 光纖線加工工藝流程

你是想知道光纖製做流程?還是光纖製做成什麼產品的流程

❺ 光纖連接器的製作工藝主要有什麼和什麼兩張方式

嗯，光謙是主要有就是線路連接和光纖，連接兩種不同的方式。

❻ 光纖光纜製造工藝方面有什麼要注意的地方

我們在製造薄膜電容的過程中，影響產品性能的因素很多，往往在製造工藝的控制及工藝方法的選擇上會對電容器的電性能變化起決定性的作用，因此，設計電容器時，我們在正確選取介質場強，產品內外部結構，主要結構材料，電容器發熱等因素的同時，還須考慮製造工藝的可靠性設計，盡量減少造成大量自愈點的出現及大量低阻短路的發生。因此，須注意以下幾點:
1.正確選擇介質材料及介質場強，對於聚酯膜，般用於直流電容器。對於聚丙烯膜，一般用於交流及低損耗的直流電容器。
2.為防止引發自愈大量發生的灰塵、雜質等的進入，應嚴格控制金屬化膜的蒸發環境及蒸發工藝，並妥善保存已金屬化的膜及已切割的條料膜。
3.為避免自愈時大量的量釋放，對金屬化膜在切割時便同時賦能，以減少製造薄膜電容器時的電擊穿、連續性自愈以及自愈而引發的熱擊穿的發生概率。
4.正確選擇老練電壓及老練方式，即起到除去瑕疵點、孔洞的目的又不會出現大面積自愈點，並同時能達到提高可靠性的目的。
5.正確選擇卷繞型產品的外形以及熱處理溫度，時間，以期達到完全定型的目的，並且對於扁形卷繞型產品，採用薄而寬的結構，以使內部芯子的層間壓力大而均勻，減少低阻短路的發生概率。
6.對於薄膜電容器還應嚴格控制生產周期，尤其是熱處理前後的生產周期，以防止鋅氧化而影響薄膜電容器的電性能。
7.在製造過程中採取以下可靠性工藝：①製品進行電壓賦能，以消掉產品中的自愈點，避免產品的連續性自愈，提高產品的絕緣電阻及可靠性。②對成品進行溫度沖擊，以除去接觸損耗過大的產品，使其早期失效，提高產品的可靠性，對成品進行電壓及溫度篩選，剔除早期失效產品，從而提高薄膜電容產品的可靠性。

❼ 光纖線纜的製作有關知識與方法

光纖的製造是將四氯化硅等原材料製成光纖的過程。光纖製造的過程決定了光纖的機械強度、傳輸特性和使用壽命，對保證光纖質量十分重要。通信光纖的製造分為制棒和拉絲兩道工序。

光纖製作和研磨工藝介紹

❽ 光纖的生產方法

目前通信中所用的光纖一般是石英光纖。石英的化學名稱叫二氧化硅(SiO2)，它和我們日常用來建房子所用的砂子的主要成分是相同的。但是普通的石英材料製成的光纖是不能用於通信的。通信光纖必須由純度極高的材料組成;不過，在主體材料里摻入微量的摻雜劑，可以使纖芯和包層的折射率略有不同，這是有利於通信的。
製造光纖的方法很多，目前主要有：管內CVD(化學汽相沉積)法，棒內CVD法，PCVD(等離子體化學汽相沉積)法和VAD(軸向汽相沉積)法。但不論用哪一種方法，都要先在高溫下做成預制棒，然後在高溫爐中加溫軟化，拉成長絲，再進行塗覆、套塑，成為光纖芯線。光纖的製造要求每道工序都要相稱精密，由計算機控制。在製造光纖的過程中，要注重：
①光纖原材料的純度必須很高。
②必須防止雜質污染，以及氣泡混入光纖。
③要准確控制折射率的分布;
④正確控制光纖的結構尺寸;
⑤盡量減小光纖表面的傷痕損害，提高光纖機械強度。 將微孔石英玻璃棒浸入高折射率的添加劑溶液中，得所需折射率分布的斷面結構，再進行拉絲操作，它的工藝比較復雜。在光導纖維通信中還可用內外氣相沉積法等，以保證能製造出光損耗率低的光導纖維。 氣相沉積法 對象 芯棒 外包層 方法 外部化學氣相沉積法
（OVD） 改進的化學氣相沉積法/管內化學氣相沉積法
（MCVD） 軸向化學氣相沉積法
（VAD） 等離子化學氣相沉積法
（PCVD） 套管法 粉末法 等離子噴塗法 溶膠-凝膠 反應
機理 火焰水解 高溫氧化 火焰水解 低溫氧化 VAD制芯棒
OVD沉積外包層 熱源 甲烷或氫氧焰 氫氧焰 氫氧焰 等離子體 沉積
方向 靶棒外徑向 管內表面 靶同軸向 管內表面 沉積
速率 大 中 大 小 沉積
工藝 間歇 間歇 連續 間歇 預制棒
尺寸 大 小 大 小 折射率
分布
控制 容易 容易 單模：容易
多模：較難 極易 原料
純度
要求 不嚴格 嚴格 不嚴格 嚴格 研發
企業 1974年美國康寧公司開發
1980年全面投入使用 1974年美國阿爾卡特公司開發 1977年日本NTT公司開發 荷蘭飛利浦公司開發 1995年美國Spectram開發 使用
廠家
（代表） 美國康寧公司
日本西谷公司
中國富通公司 美國阿爾卡特公司
天津46所 日本住友、古河等公司 荷蘭飛利浦公司、中國武漢長飛公司 · · · · · · · · · · · · · · · · · · 光導纖維應用時還要做成光纜，它是由數根光導纖維合並先組成光導纖維芯線，外面被覆塑料皮，再把光導纖維芯線組合成光纜，其中光導纖維的數目可以從幾十到幾百根，最大的達到4000根 冷接法是相對於熱熔接法而言的，指不需要高壓電弧放電來融化光纖，而使用光纖冷接子來將光纖連接起來或將光纖接入到光通訊設備中。

❾ 光纖怎麼生產

用於制備光纖預制棒的方法主要採用以下四種方法：改進化學汽相沉積法（MCVD），外部汽相沉積法（OVD），汽相軸向沉積法（VAD）和等離子體化學汽相沉積法（PCVD）。

1969年Jone和Hao採用SiCl4氣相氧化法製成的光纖的損耗低至10dB／km，而且摻雜劑都是採用純的TiO2、GeO2、B2O3及P2O5，這是MCVD法的原型，後來發展成為現在的MCVD所採用的SiCl4、GeCl4等液態的原材料。原料在高溫下發生氧化反應生成SiO2、B2O3、GeO2、P2O5微粉，沉積在石英反應管的內壁上。在沉積過程中需要精密地控制摻雜劑的流量，從而獲得所設計的折射率分布。採用MCVD法制備的B／Ge共摻雜光纖作為光纖的內包層，能夠抑制包層中的模式耦合，大大降低光纖的傳輸損耗。MCVD法是目前制備高質量石英光纖比較穩定可靠的方法，該法制備的單模光纖損耗可達到0.2-0.3dB／km，而且具有很好的重復性。

OVD法又為「管外汽相氧化法」或「粉塵法」，其原料在氫氧焰中水解生成SiO2微粉，然後經噴燈噴出，沉積在由石英、石墨或氧化鋁材料製成的「母棒」外表面，經過多次沉積，去掉母棒，再將中空的預制律在高溫下脫水，燒結成透明的實心玻璃棒，即為光纖預制棒。該法的優點是沉積速度快，適合批量生產，該法要求環境清潔，嚴格脫水，可以製得0.16dB／km（1.55μm）的單模光纖，幾乎接近石英光纖在1.55μm窗口的理論極限損耗0.15dB／km。

VAD法是由日本開發出來的，其工作原理與OVD相同，不同之處在於它不是在母棒的外表面沉積，而是在其端部（軸向）沉積。VAD的重要特點是可以連續生產，適合製造大型預制棒，從而可以拉制較長的連續光纖。而且，該法制備的多模光纖不會形成中心部位折射率凹陷或空眼，因此其光纖製品的帶寬比MCVD法高一些，其單模光纖損耗目前達到0.22-0.4dB／km。目前，日本仍然掌握著VAD的最先進的核心技術，所製得的光纖預制棒OH-含量非常低，在1385nm附近的損耗小於0.46dB／km。

PCVD法是由菲利普研究實驗室提出的，於1978年應用於批量生產。它與MCVD的工作原理基本相同，只是不用氫氧焰進行管外加熱，而是改用微波腔體產生的等離子體加熱。 PCVD工藝的沉積溫度低於MCVD工藝的沉積溫度，因此反應管不易變形；由於氣體電離不受反應管熱容量的限制，所以微波加熱腔體可以沿著反應管軸向作快速往復移動，目前的移動速度在8m／min，這允許在管內沉積數千個薄層，從而使每層的沉積厚度減小，因此折射率分布的控制更為精確，可以獲得更寬的帶寬。而且，PCVD的沉積效率高，沉積速度快，有利於消除SiO2層沉積過程中的微觀不均勻性，從而大大降低光纖中散射造成的本徵損耗，適合制備復雜折射率剖面的光纖，可以批量生產，有利於降低成本。目前，荷蘭的等離子光纖公司占據世界領先水平。

此外，在光纖製造過程中應採取措施從幾何尺寸和光學上嚴格控制非圓度，優化折射率差，並採用三包層結構，從而減少偏振模色散（PMD）。另外，Shigeki Sakaguchi等研究了光纖中的瑞利散射損耗與Tf的關系，實驗證實對光纖進行熱處理可以降低微觀不均勻性，減少瑞利散射損耗。

聚合物光纖的制備方法之一就是預制棒拉纖法，制備聚合物光纖預制棒的方法通常有：光共聚法、兩步共聚法和界面凝膠法，其中界面凝膠法制備預制棒的技術最為成熟。利用不同折射率的單體的擴散速度不同，反就時的不同單體的競聚率不同以及自動加速凝膠效應，使其折射率形成梯度，這樣製造出的漸變折射率型的光纖預制棒具有折射率分布可控，而且分布均勻的優點，是目前研究的熱點。

❿ 光纜的知識和製作方法

光導纖維是一種傳輸光束的細微而柔韌的媒質。光導纖維電纜由一捆纖維組成,簡稱為光纜。光纜是數據傳輸中最有效的一種傳輸介質.
光纖的類型由模材料(玻璃或塑料纖維)及芯和外層尺寸決定,芯的尺寸大小決定光的傳輸質量。常用的光纖纜有:

·8.3μm 芯、125μm 外層、單模。
·62.5μm 芯、125μm外層、多模。
·50μm 芯、125μm外層、 多模。
·100μm 芯、140μm外層、多模。
光纜的種類分： 單芯互聯光纜、雙芯互聯光纜、分布式光纜、分散式光纜、室外光纜。
分布式光纜分多單元分散型12芯光纜和多單元分散型24～72芯兩種。
分散式室外光纜有4芯、6芯、8芯、12芯,又分鎧裝和全絕緣型光纜有4芯、6芯、8芯、12芯。
室外光纜24～144芯光纜分全絕緣和鎧裝,規格有24、36、48、60、72、96、144芯7種。
室內/室外光纜有4芯、6芯、8芯、12芯、24芯、32芯。
參考資料：上海凱泉泵業