光纖摻雜濃度

『壹』 半導體的摻雜濃度和載流子濃度有什麼關系

溫度來.導體在任何溫度下,都將源遵從
熱平衡條件：np=ni2.因此多數載流子與少
數載流子是相互制約著的.多數載流子主要
來自於摻雜,而少數載流子都來自於本徵激
發（屬於本徵載流子）.當通過摻雜、增大
多數載流子濃度時,則多數載流子與少數載
流子相互復合的機會增加,將使得少數載流
子濃度減小；當升高溫度,少數載流子濃度
將指數式增大,並且它與多數載流子相互復
合的機會也增加,仍然維持著熱平衡關系.
在溫度不是很高時,增加的本徵載流子濃度
將遠小於摻雜所提供的多數載流子濃度,因
此對於多數載流子而言,可以認為其濃度基
本上就等於摻雜濃度,與溫度的關系不大.
當然,在溫度高到使得本徵載流子濃度增大
到等於或大於多數載流子濃度時,就變成以
本徵載流子導電為主的半導體了,即為本徵
半導體,這時摻雜的貢獻即可忽略了.

『貳』 單模光纖G.652摻雜濃度是多少呀其他型號的也行，就是想查下單模光纖的摻雜濃度，還望高人賜教。。

這個你可以查閱一下《半導體器件手冊》，上面有相關的數據，謝謝

『叄』 石英光纖中,在纖芯和包層中摻入的摻雜劑都有哪些

十石英光纖宗在仙蕊和花城中產參入的。摻雜劑都有哪些？這個都問問，那個管這個專業的地方了，這個我還真說不準，說不準。

『肆』 說有半導體的重摻雜，這個重有什麼標准么，比如說摻雜濃度到那個量級

不可以用玻爾茲曼分布描述的話就可以認為是重摻雜了

『伍』 摻餌光纖激光器中摻雜濃度一定時，與最佳摻餌光纖長度關系

你好！
找論文吧，很多論文都有這個研究的
僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。

『陸』 熊貓保偏光纖的應力區以及纖芯的二氧化硅與硼的摻雜濃度通常是多少

蝶型光纜圓型光纜至於熊貓型真沒聽

『柒』 為什麼摻雜濃度較高，pn結就會越窄

在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞版了勢壘區內共價鍵結構，使權價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。

齊納擊穿一般發生在摻雜濃度較高的PN結中。這是因為摻雜濃度較高的PN結，空間電荷區的電荷密度很大，寬度很窄，只要加很小的反向電壓就能夠建立起很強的電場，發生齊納擊穿。

(7)光纖摻雜濃度擴展閱讀

從PN結的形成原理可以看出，要想讓PN結導通形成電流，必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即P區接外加電源的正極，N區結負極，就可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續運動，從而形成線性的正向電流。

而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大，PN結不能導通，僅有極微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，因少子數量有限，電流飽和）。

當反向電壓增大至某一數值時，因少子的數量和能量都增大，會碰撞破壞內部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終PN結將被擊穿（變為導體）損壞，反向電流急劇增大。

『捌』 為了提高LED速度，摻雜濃度是否越大越好說明理由.

摻雜濃度過高，雜質抄原子過於靠近，從而相互結合，這就減少了參與到PN結形成的雜質原子數量，從而造成PN結變窄。
以下信息供參考理解用：
晶體是由許多原子在靠近時，通過電子軌道相互重疊並「成鍵」後組成。
此時，原子中的「電子狀態」將由「能級狀態」轉變為「能帶狀態」——即能級展寬為能帶。
類似地，當摻雜濃度很高、以致相鄰「雜質原子」的電子軌道發生交疊時, 雜質能級即展寬為雜質能帶。
電子在雜質能帶中同樣具有一定的導電性；不過因為雜質原子軌道的交疊不會很大，則雜質能帶的寬度較小，從而導電作用不大 (一般只是在低溫下有貢獻)。
當半導體的摻雜濃度很高時，大量的雜質中心的電勢將使得導帶和價帶出現能帶尾；如果摻雜濃度高到使能帶尾與雜質能帶相連時，就將造成半導體能隙變窄。
能級解釋：微觀粒子系統處於各穩定的能量狀態時所具有的能量值。
能帶解釋：原子在形成分子時，原子軌道構成具有分立能級的分子軌道。由原子軌道所構成的分子軌道的數量非常之大，以至於可以將所形成的分子軌道的能級看成是准連續的，即形成了能帶.

『玖』 摻雜濃度是什麼

摻雜 物理研究中，在某物質中 參雜 少量其他物質改變 物質特性，生產新材料的一種方法所摻物質 占總物質量的比例 就是摻雜濃度

『拾』 如果在si中摻雜的p為1ppm，其電子濃度為多少

應該是TFT里的製程。+/n+ a-Si 沒猜錯指的是高濃度摻雜的N型（電子型）導電層，主要是構造歐姆接觸層。個人理解;-只是代表摻雜濃度的高低而已，之前的類型都被標記為-型，僅供參考，在+出來以後