硅片自然氧化速率
1. 硅片是泡在去离子水中更容易氧化还是在空气中更容易被氧化
泡在纯水中更好，普通去离子水太脏了，电阻至少要2兆欧以上吧
2. 为什么在日光下以不同角度观察氧化后的硅片会有不同的颜色
因为分子排列是非常有规律的，这样不同角度暴露在表面上的元素，就会非常有规律，使得版同一角权度的表面暴露的元素相同，而不同角度暴露的元素就可能不同，致使同一角度元素产生的光谱相同，不同角度产生的光谱可能不同，所以不同角度观察会有不同的颜色。
在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管。这是何等精细的工程！这是多学科协同努力的结晶，是科学技术进步的又一个里程碑。
地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场（mass market）的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
3. 半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning 是什么意思
RCA cleaning 就是采用方法来清洗的意思。
RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。
4. 硅片在什么情况下会氧化
个人感觉，硅片放在空气中，自然条件下即会缓慢地形成氧化层。时间长了，原本导电性还过得去的硅片就会慢慢地变得绝缘起来...
而且硅片表面的氧化层还不太好除去，最好还是放在液体中封存~
5. 干氧氧化和湿氧氧化的特点
硅热氧化工艺按所用的氧化气氛可分为：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。干氧氧化内是以干燥纯净的氧容气作为氧化气氛，在高温下氧直接与硅反应生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化气氛，由硅片表面的硅原子和水分子反应生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化大。而湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。在集成电路工艺中，以加热高纯水作为水蒸汽源，而湿氧氧化则用干燥氧气通过加热的水（常用水温为95）所形成的氧和水汽混合物形成氧化气氛。用高纯氢气和氧气在石英反应管进口处直接合成水蒸汽的方法进行水汽氧化时，通过改变氢气和氧气的比例，可以调节水蒸汽压，减少沾污，有助于提高热生长二氧化硅的质量。
6. 为什么硅片热氧化需要很高的温度
简述硅片热处理意义 ①热处理温度要求：650±5℃； ②热处理目的：还原内直拉单晶硅片真实电阻率；容 1、热处理后电阻率会有什么变化 由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃）
7. 溶解硅片用氢氧化钠和氢氟酸哪个快
氢氧化钠溶解速度慢，而且需要加热，因为硅酸钠是高粘性的，氢氧化钠扩散慢。而氢氟酸与硅生成氟硅酸，粘性与水差不多，不影响氢氟酸的扩散。
8. 请问：硅片退火处理是怎么回事为什么要进行退火退火对电阻率和少子寿命有影响吗
硅片退火处理，是工艺的一个环节。是按一定的程序对硅片进行升温、降温.的过专程；
为什么要进行退火？属原因之一是，硅片中含有氧，氧有吸取杂质的作用。退火时可以将硅片表面附近的氧，从其表面挥发脱除，使表面附近的杂质数量减少。有利于器件的制造；
退火对电阻率和少子寿命有一定的影响：使其升高。
9. 为什么实验用硅片一般都在表面氧化
不一定有不带二氧化硅的，而且价格便宜呢