宽带半导体

❶ 怎样解释宽带隙和 窄带隙单体。。宽。窄指什么

带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超版过3ev的被认为是宽权带隙半导体，例如GaN、SiN和ZnO，小于3ev的就是窄带隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。

❷ 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室的简介

宽带隙半导体技术复国家重点学科制实验室依托西安电子科技大学，是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上，2007年国家批准建设的国家级重点实验室，2008年实验室成为我国国防科技创新团队，是中国宽带隙半导体材料与器件研究的主要基地。

❸ 宽带光源、窄带光源、激光器之间的联系与区别是什么窄线宽激光器和窄线宽光源是一样的吗急急急在线等

1. 激光器的线宽范围一般是多大？

答：普通F-P半导体激光器的线宽一般在1-2nm以内，DFB激光器，光纤激光器和气体激光器线宽非常窄，可以做到MHz级别线宽。

2.激光器有宽带的吗，激光器最大的宽带有多大？

答：有，激光器最大带宽可以做到20nm左右，比如你下面说到的SLD（超辐射半导体激光器）

3.线宽50nm的宽带光源是激光器吗？

答：一般不是，50nm线宽有可能是LED光源，半导体激光器一般不可能有如此宽的带宽。

4.SLD宽带光源是激光器吗?

答：是，见回答2

5.有窄线宽激光器，难道还有宽线宽激光器吗？

答：线宽宽窄是相对的说法，2nm线宽相对于0.0000002nm线宽就是宽带激光器

6.在宽带光源后面加一个滤光片，只通过线宽1nm的光，这束光是激光吗？还是和光源有关，有什么关系呢?

答：不是，激光与普通光源的最大区别在于是不是受激辐射源，激光具有高度的同相性，也就是在同一时刻，所有光子都是同相位的，普通光源做不到，氙灯后面放滤光片，还是普通光源

7.是不是线宽窄了就是激光？

答：不是，激光具有窄线宽的特性，但不仅仅只有这一个特性，满足激光的条件只有一个，就是受激辐射

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2019/12/6更正，索雷博公司将其与LED光源一起列为非相干光源，SLD被归类为非相干光源，也就应该不是激光器

❹ 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室的介绍

宽带隙半导体技术抄国家重点学科实验室依托西安电子科技大学，是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上，2007年国家批准建设的国家级重点实验室，2008年实验室成为我国国防科技创新团队，是中国宽带隙半导体材料与器件研究的主要基地。

❺ 什么是宽带隙半导体材料

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽回带隙半导体在蓝、紫答光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

❻ 宽带隙半导体，晶体结构、能带及器件的结构有哪些，光电特性是什么

一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体。
建议你参考这篇文章“国外军事和宇航应用宽带隙半导体技术的发展” ，网络文库也有。

❼ 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室的实验室发展历程

宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教回育部重点实验室的基础答上，2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙（宽禁带）半导体材料与器件的应用基础研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科和211”工程 重点建设学科的重要支撑。

❽ 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室的实验室条件

学术委员会的主要职责：审议实验室的研究方向、学术上的重大问题，推荐优秀学术成就、科研课题、研究成果。
学术委员会名单如下： 姓名 职称 工作单位 郝跃 院士 西安电子科技大学 夏建白 院士 中国科学院半导体研究所 沈绪榜 院士 航天771所 张兴 教授 北京大学 王燕 教授 清华大学 汪宏 教授 西安交通大学 崔铁军 教授 东南大学 蔡树军 研究员 中国电子科技集团第13所 陈效建 研究员 中国电子科技集团第55所 刘新宇 研究员 中国科学院微电子研究所 陈志明 教授 西安理工大学 陈长清 教授 华中科技大学 杨银堂 教授 西安电子科技大学 庄奕琪 教授 西安电子科技大学 张玉明 教授 西安电子科技大学 该实验室拥有从宽禁带材料制造设备、材料制造工艺到微波功率器件、高亮度LED器件管芯制造工艺，微波功率模块、微纳米器件可靠性以及VLSI电路设计等若干项自主关键技术，具有明显特色。
据该实验室网站资料介绍，该实验室拥有一套完整的宽禁带材料生长和器件研制的工艺设备和环境，400平方米以上面积的超净实验室环境3套和完整的测试分析设备。1000级微电子超净工艺实验室超净间，连同材料生长、器件制作和相关表征设备，形成了一条完整的化合物半导体材料和器件工艺线。 微电子学与固体电子学国家重点学科
国家“211”工程重点建设学科
国家集成电路人才培养基地
陕西省大功率半导体照明工程研究中心
西安航天-西电新型半导体器件研发中心

❾ 哪一款芯片的发明标志着宽带上网时代的开始

微芯片是一些长着小小的金属针、标着看似随机的字母或数字的字符串的黑盒子。但是对那些懂的人来说，有些芯片就像名人一样站在红毯上。有许多这样的集成电路直接或间接地为改变世界的产品赋能，从而得到荣耀，也有一些芯片对整个计算环境造成了长期的影响。也有一些，它们的雄心壮志失败后成为警世的故事。

为了纪念这些伟大的芯片，并讲述它们背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了这个“芯片名人堂”（Chip Hall of Fame）。登堂的是7类共27枚影响了整个计算世界的芯片。

这份名单中的第一类多数来自 IEEE Spectrum 2009年的一个专题“25 Microchips That Shook The World”，由 Brian Santo 撰写，现在它增加了自那之后的出现的一些重要的芯片。当然，这份名单肯定存在争议，比如读者可能会质疑为什么英特尔的8088微处理器入选，而不是4004（英特尔推出的第一款微处理器）或者8080（英特尔最著名的微处理器）？需要稍作说明的是，这份名单是作者、作者所信任的来源，以及 IEEE Spectrum 的多名编辑经过数周的争论之后得出的。它并不只关注那些获得巨大商业成功或取得了重大技术进步的芯片，它关注的是那些被证明十分独特，令人着迷，令人惊叹的微芯片。最重要的是，这份榜单搜集了深刻地影响了许多人的生活的芯片——它们是许多改变世界的电子设备的重要部分，象征着技术的发展趋势。

类别：

放大器 & 音频（Amplifiers & Audio）

接口（Interfacing）

逻辑（Logic）

记忆 & 存储（Memory & Storage）

MEM & 传感器（MEMs & Sensors）

处理器（Processors）

无线（Wireless）

1/ 仙童半导体μA741 运算放大器（1968）


Fairchild Semiconctor μA741 Op-Amp

该芯片成为了模拟放大器集成电路事实上的标准。该芯片目前仍在生产，在电子产品中随处可见。

制造商：仙童半导体

类别：放大器 & 音频

年代：1968

运算放大器就像模拟设计界的切片面包。你可以用它们夹上任何东西，并且都能得到满意的结果。设计者使用它们来制作音频或视频的前置放大器，电压比较器，精密整流器，以及其他许多日常电子系统中重要的子系统。

1963年，26岁的工程师 Robert Widlar 在仙童半导体公司（Fairchild Semiconctor）设计了第一个单块集成运算放大器电路，即 μA702。当时它的售价是300美元。Widlar 随后对设计进行了改进，设计出 μA709，并获得了巨大的商业成功。据说，Widlar 因此要求加薪，但没有得到满足，于是离开了仙童半导体。美国国家半导体公司（现在是德州仪器的一部分）如获至宝，迅速挖来了 Widlar。Widlar 后来帮助国家半导体建立了模拟IC设计部门。

❿ 宽带隙半导体的p型掺杂困难的原因可能有哪些

器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。