光纤掺杂浓度

『壹』 半导体的掺杂浓度和载流子浓度有什么关系

温度来.导体在任何温度下,都将源遵从
热平衡条件：np=ni2.因此多数载流子与少
数载流子是相互制约着的.多数载流子主要
来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激
发（属于本征载流子）.当通过掺杂、增大
多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载
流子相互复合的机会增加,将使得少数载流
子浓度减小；当升高温度,少数载流子浓度
将指数式增大,并且它与多数载流子相互复
合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.
在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度
将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因
此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基
本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大.
当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大
到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以
本征载流子导电为主的半导体了,即为本征
半导体,这时掺杂的贡献即可忽略了.

『贰』 单模光纤G.652掺杂浓度是多少呀其他型号的也行，就是想查下单模光纤的掺杂浓度，还望高人赐教。。

这个你可以查阅一下《半导体器件手册》，上面有相关的数据，谢谢

『叁』 石英光纤中,在纤芯和包层中掺入的掺杂剂都有哪些

十石英光纤宗在仙蕊和花城中产参入的。掺杂剂都有哪些？这个都问问，那个管这个专业的地方了，这个我还真说不准，说不准。

『肆』 说有半导体的重掺杂，这个重有什么标准么，比如说掺杂浓度到那个量级

不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了

『伍』 掺饵光纤激光器中掺杂浓度一定时，与最佳掺饵光纤长度关系

你好！
找论文吧，很多论文都有这个研究的
仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

『陆』 熊猫保偏光纤的应力区以及纤芯的二氧化硅与硼的掺杂浓度通常是多少

蝶型光缆圆型光缆至于熊猫型真没听

『柒』 为什么掺杂浓度较高，pn结就会越窄

在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏版了势垒区内共价键结构，使权价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。

齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度很窄，只要加很小的反向电压就能够建立起很强的电场，发生齐纳击穿。

(7)光纤掺杂浓度扩展阅读

从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。

而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。

当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

『捌』 为了提高LED速度，掺杂浓度是否越大越好说明理由.

掺杂浓度过高，杂质抄原子过于靠近，从而相互结合，这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量，从而造成PN结变窄。
以下信息供参考理解用：
晶体是由许多原子在靠近时，通过电子轨道相互重叠并“成键”后组成。
此时，原子中的“电子状态”将由“能级状态”转变为“能带状态”——即能级展宽为能带。
类似地，当掺杂浓度很高、以致相邻“杂质原子”的电子轨道发生交叠时, 杂质能级即展宽为杂质能带。
电子在杂质能带中同样具有一定的导电性；不过因为杂质原子轨道的交叠不会很大，则杂质能带的宽度较小，从而导电作用不大 (一般只是在低温下有贡献)。
当半导体的掺杂浓度很高时，大量的杂质中心的电势将使得导带和价带出现能带尾；如果掺杂浓度高到使能带尾与杂质能带相连时，就将造成半导体能隙变窄。
能级解释：微观粒子系统处于各稳定的能量状态时所具有的能量值。
能带解释：原子在形成分子时，原子轨道构成具有分立能级的分子轨道。由原子轨道所构成的分子轨道的数量非常之大，以至于可以将所形成的分子轨道的能级看成是准连续的，即形成了能带.

『玖』 掺杂浓度是什么

掺杂 物理研究中，在某物质中 参杂 少量其他物质改变 物质特性，生产新材料的一种方法所掺物质 占总物质量的比例 就是掺杂浓度

『拾』 如果在si中掺杂的p为1ppm，其电子浓度为多少

应该是TFT里的制程。+/n+ a-Si 没猜错指的是高浓度掺杂的N型（电子型）导电层，主要是构造欧姆接触层。个人理解;-只是代表掺杂浓度的高低而已，之前的类型都被标记为-型，仅供参考，在+出来以后